Резистор металлопленочный 0.25Вт, 13.7 Ом, ±0,1% ,±15ppm
Описание
9.61 руб./шт
Варианты цен
9.61 руб./шт
В корзину
711.21 руб./шт
Варианты цен
711.21 руб./шт
В корзину
Под заказ
Запросить условия поставки
Nichicon UBX1H101MPL, конденсатор алюминиевый электролитический серии UBX, 50 В, 100 мкФ, M (±20%), размер 10x12.5 мм
Описание
67.99 руб./шт
Варианты цен
67.99 руб./шт
В корзину
ВЧ и СВЧ компонент MOSFET, 527ГГц, 1Вт, Широкополосный транзистор, 7.2В, 15 дБ
Описание
75.12 руб./шт
Варианты цен
75.12 руб./шт
В корзину
Диодный мост KBPC3508WP, Single phase, KBPC, 800V, 35A, 1500ns
Описание
185.35 руб./шт
Варианты цен
185.35 руб./шт
В корзину
LPC55S69JBD100K NXP, Микроконтроллер, Серия: LPC55S6x; Тип ядра: ARM® Cortex®-M33; Корпус: 100-LQFP E x posed Pad
Описание
346.08 руб./шт
Варианты цен
346.08 руб./шт
В корзину
5.32 руб./шт
Варианты цен
5.32 руб./шт
В корзину
Преобразователь постоянного тока, Buck-boost DC-DC converter,
U вход 2.0 до 5.5 В, U выход 1.2 до 5.5 В, 1А, 1.5 MHz, КПД 94%, корпус DFN-10 ( 3 х 3 мм )
Упаковка: катушка 3000 шт
U вход 2.0 до 5.5 В, U выход 1.2 до 5.5 В, 1А, 1.5 MHz, КПД 94%, корпус DFN-10 ( 3 х 3 мм )
Упаковка: катушка 3000 шт
Описание
99.84 руб./шт
Варианты цен
99.84 руб./шт
В корзину
9.77 руб./шт
Варианты цен
9.77 руб./шт
В корзину
PV36W203C01B00, Потенциометр 0.5Вт, 25, ±10%, ±100 ppm/°C, Выводной
Описание
184.90 руб./шт
Варианты цен
184.90 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
264.04 руб./шт
Варианты цен
264.04 руб./шт
В корзину
Диодный мост KBPC3510WP, Single phase, KBPC, 1000V, 35A, 1500ns
Описание
169.79 руб./шт
Варианты цен
169.79 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
32.44 руб./шт
Варианты цен
32.44 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
27 руб./шт
Варианты цен
27 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG60N65D, Vce 650 В, Vce(on) 1.85 В, Ic 60А, ТО-247
Описание
161.14 руб./шт
Варианты цен
161.14 руб./шт
В корзину
Kendeil K014502220HM0H105, конденсатор электролитический серии K01, 450в, 2200 мкФ, типоразмер 63x105
Описание
3 205.06 руб./шт
Варианты цен
3 205.06 руб./шт
В корзину
B32673P6105K000, Конденсатор плёночный, серия B32673P, 630В,1 мкф, допуск К(10%), шаг 22.5мм
Описание
94.33 руб./шт
Варианты цен
94.33 руб./шт
В корзину
