Под заказ
Запросить условия поставки
L78L05ABD13TR, Линейный стабилизатор напряжения положительной полярности, 5 В, 100 мА, SO-8
Описание
5.42 руб./шт
Варианты цен
5.42 руб./шт
В корзину
2.12 руб./шт
Варианты цен
2.12 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R1K5S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R1K5S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 11,2 нКл; Id: 3 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Ключевые параметры WMO80R1K5S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 11,2 нКл; Id: 3 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Описание
58.96 руб./шт
Варианты цен
58.96 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R1K0S, производителя WayOn
Ключевые параметры
Серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,05 Ом; Qg: 13,2 нКл; Id: 3,6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Ключевые параметры
Серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,05 Ом; Qg: 13,2 нКл; Id: 3,6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Описание
83.52 руб./шт
Варианты цен
83.52 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R720S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R720S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,68 Ом; Qg: 16 нКл; Id: 4,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO80R720S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,68 Ом; Qg: 16 нКл; Id: 4,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
66.54 руб./шт
Варианты цен
66.54 руб./шт
В корзину
2.92 руб./шт
Варианты цен
2.92 руб./шт
В корзину
Чип конденсатор электролитический 6.3x7.7 мм, 25В, 100мкФ, M (±20%)
Описание
7.08 руб./шт
Варианты цен
7.08 руб./шт
В корзину
DI020N06D1, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 35 мОм; Qg: 25.3 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-252
Описание
21.84 руб./шт
Варианты цен
21.84 руб./шт
В корзину
4.43 руб./шт
Варианты цен
4.43 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML90R360S, производителя WayOn
Ключевые параметры WML90R360S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0,34 Ом; Qg: 32 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML90R360S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0,34 Ом; Qg: 32 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Описание
198.19 руб./шт
Варианты цен
198.19 руб./шт
В корзину
2.44 руб./шт
Варианты цен
2.44 руб./шт
В корзину
Чип конденсатор электролитический 6.3x5.7 мм, 25В, 47мкФ, M (±20%)
Описание
5.75 руб./шт
Варианты цен
5.75 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO07N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1,14 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1,14 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
28.32 руб./шт
Варианты цен
28.32 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EXR470M25B Hitano, серии EXR типоразмер: 5x11 мм, U раб.: 25 В, C ном.: 47 мкФ, допуск: M (±20%)
Описание
1.92 руб./шт
Варианты цен
1.92 руб./шт
В корзину
IRF840PBF, транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, 125Вт, 0.85 Om, TO-220AB
Описание
87.95 руб./шт
Варианты цен
87.95 руб./шт
В корзину
IRF7342TRPBF, MOSFET транзистор, Dual P-Channel, 55 В, 105 мОм, 38 нКл, 3.4 А, 2 Вт, SO-8
Описание
57.51 руб./шт
Варианты цен
57.51 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WM03N57M, производителя WayOn
Ключевые параметры WM03N57M: серия Small Signal MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0,036 Ом; Qg: 7,5 нКл; Id: 5,8 А; Корпус: SOT-23.
Ключевые параметры WM03N57M: серия Small Signal MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0,036 Ом; Qg: 7,5 нКл; Id: 5,8 А; Корпус: SOT-23.
Описание
3.17 руб./шт
Варианты цен
3.17 руб./шт
В корзину
Конденсатор плёночный MER104J2AB, 0.1мкФ, 100В, J (±5%), 1, серия MER, межвыводное расстояние 10 мм
Описание
5.42 руб./шт
Варианты цен
5.42 руб./шт
В корзину
2.21 руб./шт
Варианты цен
2.21 руб./шт
В корзину
