IXFN110N60P3, MOSFET транзистор, N-Channel, 600 В, 56 мОм, 245 нКл, 90 А, SOT-227B
Описание
3 726.08 руб./шт
Варианты цен
3 726.08 руб./шт
В корзину
Чип резистор 0805, 0.020 Ом, (±1%), 0.5 Вт, ±50 ppm/°C
Кратность продажи: 100 шт
Кратность продажи: 100 шт
Описание
25.88 руб./шт
Варианты цен
25.88 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO18N20T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO18N20T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,13 Ом; Qg: 11 нКл; Id: 11,7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
46.92 руб./шт
Варианты цен
46.92 руб./шт
В корзину
MOC3063M, Оптопара симисторная с системой переключения в нуле, 600В, DIP-6
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
Hitano R15N470J1HH5-B, конденсатор керамический MCC, 47пФ, 50В, NP0, J (±5%), 5 мм
Описание
4.27 руб./шт
Варианты цен
4.27 руб./шт
В корзину
Биполярный высокомощный транзистор MJH6284G, производителя ONSEMI, NPN, 20 А, 100 В, 160 Вт, TO-247
Описание
414.01 руб./шт
Варианты цен
414.01 руб./шт
В корзину
Hitano R15N102J1HH5-B, конденсатор керамический MCC, 1000пФ, 50В, NP0, J (±5%), 5 мм
Описание
4.21 руб./шт
Варианты цен
4.21 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK161N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK161N15T2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,006 Ом; Qg: 78 нКл; Id: 115 А; Корпус: TO-220
Описание
192.08 руб./шт
Варианты цен
192.08 руб./шт
В корзину
KKT310TR Kingtronics Чип конденсатор подстроечный, SMD 3 мм, 3.0-10 пФ, 100/220В, 2%, N600+-400, размеры 3.2x4.5x1.5 мм
Тип упаковки: Катушка
Количество в упаковке: 1000 шт
Кратность продажи: 50 шт
Тип упаковки: Катушка
Количество в упаковке: 1000 шт
Кратность продажи: 50 шт
Описание
52.61 руб./шт
Варианты цен
52.61 руб./шт
В корзину
Понижающий DC/DC преобразователь SY8303AAIC Silergy 3 А, 40 В, 2.5 МГц
Описание
75.90 руб./шт
Варианты цен
75.90 руб./шт
В корзину
KKT330TR Kingtronics Чип конденсатор подстроечный, SMD 3 мм, 8.0-28.5 пФ, 100/220В, 3%, N1300+-400, размеры 3.2x4.5x1.5 мм
Тип упаковки: Катушка
Количество в упаковке: 1000 шт
Кратность продажи: 50 шт
Тип упаковки: Катушка
Количество в упаковке: 1000 шт
Кратность продажи: 50 шт
Описание
52.61 руб./шт
Варианты цен
52.61 руб./шт
В корзину
L78L33ACUTR, Линейный стабилизатор напряжения положительной полярности, 3.3 В, 100 мА, SO-89
Описание
11.21 руб./шт
Варианты цен
11.21 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ80N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,039 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 45 А; Корпус: TO-247
Описание
519.06 руб./шт
Варианты цен
519.06 руб./шт
В корзину
Продажа кратно 100шт !
Резистор металлопленочный 0.25Вт, 100 Ом, ±0,1% ,±15ppm
Резистор металлопленочный 0.25Вт, 100 Ом, ±0,1% ,±15ppm
Описание
17.76 руб./шт
Варианты цен
17.76 руб./шт
В корзину
Конденсатор плёночный Film capacitor DMJ-PS 15uf 800VDC
Описание
305.33 руб./шт
Варианты цен
305.33 руб./шт
В корзину
Транзистор BU921T, производителя STMicroelectronics, NPN, 10 А, 400 В, 105000 mW, TO-220
Описание
166.65 руб./шт
Варианты цен
166.65 руб./шт
В корзину
IGBT транзистор DHG40N120D, Vce 1200 В, Vce(on) 1.9 В, Ic 40А, ТО-247
Описание
233.74 руб./шт
Варианты цен
233.74 руб./шт
В корзину
14.24 руб./шт
Варианты цен
14.24 руб./шт
В корзину
35.15 руб./шт
Варианты цен
35.15 руб./шт
В корзину
Диодный мост KBPC5010FP, Single phase, KBPC, 1000V, 50A, 1500ns
Описание
365.80 руб./шт
Варианты цен
365.80 руб./шт
В корзину
