PVT422PBF, Твердотельное реле двухполярное нормально разомкнутое, MOSFET, 0-400В, AC/DC 120мА, DIP8
Описание
818.74 руб./шт
Варианты цен
818.74 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EHL221M2GBA Hitano, EHL серии , типоразмер: 25х50 мм; U раб.: 400 В; C ном.: 220 мкФ; Допуск: M (±20%)
Описание
194.71 руб./шт
Варианты цен
194.71 руб./шт
В корзину
Чип конденсатор электролитический 6.3x7.7 мм, 35В, 47мкФ, M (±20%)
Описание
5.89 руб./шт
Варианты цен
5.89 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO80R480S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO80R480S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 25 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO80R480S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 25 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
143.73 руб./шт
Варианты цен
143.73 руб./шт
В корзину
SiC-диоды Шоттки производства известной китайской компании WayOn.
PDFN5*6, 650 В, 8 А, 1.43 В, 16 нКл
Описание
171.31 руб./шт
Варианты цен
171.31 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
88.82 руб./шт
Варианты цен
88.82 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML15N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML15N65C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,3 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML15N65C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,3 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: TO-220F
Описание
81.30 руб./шт
Варианты цен
81.30 руб./шт
В корзину
Семейство микроконтроллеров N32G031/032 оснащено ядром ARM Cortex®-M0. Максимальная рабочая частота составляет 48 МГц, содержит до 64 КБ внутренней флэш-памяти и до 16 КБ встроенной SRAM. Поддерживается до 40 переназначаемых вводов/выводов (I/O), а также предоставляется широкий набор аналоговых интерфейсов высокой производительности, включая 12-битный АЦП с максимальной скоростью преобразования 1 Мsps, до 12 внешних входных каналов, 1 независимый операционный усилитель и 1 высокоскоростной компаратор. В то же время предусмотрено несколько цифровых интерфейсов связи, включая 3x U(S)ART, 2x I2C, 2x SPI, 1x интерфейс I2S, 1x CAN.
Микроконтроллеры серии N32G031/032 работают в диапазоне температур от –40 до +105°C при напряжении питания от 1,8 до 5,5 В, обеспечивают различные режимы энергопотребления для выбора пользователем и соответствуют требованиям устройств с низким энергопотреблением. Эта серия выпускается в корпусах с 20/32/48 выводами.
Микроконтроллеры N32G031/032 подходят для применения в мобильных устройствах, бытовых приборах, системах управления двигателем, системах управления энергопотреблением и др.
Микроконтроллеры серии N32G031/032 работают в диапазоне температур от –40 до +105°C при напряжении питания от 1,8 до 5,5 В, обеспечивают различные режимы энергопотребления для выбора пользователем и соответствуют требованиям устройств с низким энергопотреблением. Эта серия выпускается в корпусах с 20/32/48 выводами.
Микроконтроллеры N32G031/032 подходят для применения в мобильных устройствах, бытовых приборах, системах управления двигателем, системах управления энергопотреблением и др.
Описание
68.32 руб./шт
Варианты цен
68.32 руб./шт
В корзину
Регулятор обратного хода с первичным управлением CV/CC для адаптеров и зарядных устройств
Описание
33.27 руб./шт
Варианты цен
33.27 руб./шт
В корзину
Под заказ
Запросить условия поставки
Диод Шоттки, 30В, 4А, DO-214AB(SMC), Uf max: 0.5В, 150 °C
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ53N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 26 А; Корпус: TO-247
Описание
312.12 руб./шт
Варианты цен
312.12 руб./шт
В корзину
DIT195N08, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 3.5 мОм; Qg: 296 нКл; Id: 215 А; Корпус: ТО-220
Описание
212.33 руб./шт
Варианты цен
212.33 руб./шт
В корзину
78.34 руб./шт
Варианты цен
78.34 руб./шт
В корзину
Диод выпрямительный Шоттки, THT, 100В, 10А, TO220AC, Uf max: 0.79В, 150 °C
Описание
62.01 руб./шт
Варианты цен
62.01 руб./шт
В корзину
64.05 руб./шт
Варианты цен
64.05 руб./шт
В корзину
Диод выпрямительный Шоттки, THT, 200В, 2х10А, TO220AB, Uf max: 0.90В, 175 °C
Описание
68.22 руб./шт
Варианты цен
68.22 руб./шт
В корзину
125.50 руб./шт
Варианты цен
125.50 руб./шт
В корзину
58.44 руб./шт
Варианты цен
58.44 руб./шт
В корзину
36.51 руб./шт
Варианты цен
36.51 руб./шт
В корзину
