SiC-диод RSS20065K Reasunos, TO-247-3, 650 В, 30 А, 1.6 В, 60 nC
Описание
207.35 руб./шт
Варианты цен
207.35 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
SiC-диод RSS40120K Reasunos, TO-247-3, 1200 В, 68 А, 1.7 В, 196 nC
Описание
381.54 руб./шт
Варианты цен
381.54 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Конденсатор электролитический EHR222M50BA Hitano, серии EHR типоразмер: 16x31.5 мм, U раб.: 50 В, C ном.: 2200 мкФ, допуск: M (±20%)
Описание
50.33 руб./шт
Варианты цен
50.33 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Конденсатор силовой B25620B1107K100, 100мкФ, 1100В, 10% MKP PEC, серия B2562
Описание
4 193.64 руб./шт
Варианты цен
4 193.64 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
NFC/RFID-метки и транспондер IC от 310000 кГц до 447000 кГц/от 868000 кГц до 915000 кГц 32-контактный HVQFN EP
Описание
308.93 руб./шт
Варианты цен
308.93 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K010252240HM0J105, конденсатор электролитический серии K01, 25 В, 220000 мкФ, типоразмер 76x105
Описание
3 702.96 руб./шт
Варианты цен
3 702.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
C0402C102J1GACTU, Конденсатор: керамический; MLCC; 1000 пФ; 100 В; C0G; ±5%; SMD; 0402, Kemet
Продажа кратно 100шт !
Продажа кратно 100шт !
Описание
9.48 руб./шт
Варианты цен
9.48 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Чип индуктивность 10 мкГн, 1.1 А, 120 мОм
Кратность продажи: 50 шт
Кратность продажи: 50 шт
Описание
29.17 руб./шт
Варианты цен
29.17 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Модуль SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric, 450В, 5А, 6-PACK, SLIM, IGBT
Описание
488.11 руб./шт
Варианты цен
488.11 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K052504710PM0C040, конденсатор электролитический серии K05, 250 В, 470 мкФ, типоразмер 25x40
Описание
168.32 руб./шт
Варианты цен
168.32 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
GLI 900-150A, конденсатор плёночный 150мкФ 900В, 87х74мм
Описание
3 427.59 руб./шт
Варианты цен
3 427.59 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Kendeil K010632230HM0G079, конденсатор электролитический серии K01, 63 В, 22000 мкФ, типоразмер 51x79
Описание
2 011.51 руб./шт
Варианты цен
2 011.51 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Электромагнитный контроллер, открытая панель 64-LQFP, -40°C ~ 125°C, поверхностный монтаж
Описание
500.90 руб./шт
Варианты цен
500.90 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
190.34 руб./шт
Варианты цен
190.34 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Описание
68.26 руб./шт
Варианты цен
68.26 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO07N65С4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML071N15HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Описание
131.41 руб./шт
Варианты цен
131.41 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO20N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
23.56 руб./шт
Варианты цен
23.56 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO28N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
29.76 руб./шт
Варианты цен
29.76 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMB018N04LG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Описание
33.28 руб./шт
Варианты цен
33.28 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
