4.25 руб./шт
Варианты цен
4.25 руб./шт
В корзину
10.63 руб./шт
Варианты цен
10.63 руб./шт
В корзину
DI015N25D1, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 245 мОм; Qg: 8.9 нКл; Id: 15 А; Корпус: TO-252
Описание
84.91 руб./шт
Варианты цен
84.91 руб./шт
В корзину
Диод быстрый MUR620CTG, Ultrafast, TO-220AB, 200V, 3A, 35ns
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 15 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 15 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.12 руб./шт
Варианты цен
1.12 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 18 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 18 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
0.84 руб./шт
Варианты цен
0.84 руб./шт
В корзину
29.66 руб./шт
Варианты цен
29.66 руб./шт
В корзину
Чип резистор 0201, 10кОм, J (±5%), 50мВт, ±200 ppm/°C
Кратность продажи: 100 шт
Кратность продажи: 100 шт
Описание
1.15 руб./шт
Варианты цен
1.15 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK040N08HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Описание
72.35 руб./шт
Варианты цен
72.35 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.06 руб./шт
Варианты цен
1.06 руб./шт
В корзину
DI070P04PQ-AQ, MOSFET транзистор, полярность: P-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 6.5 мОм; Qg: 125 нКл; Id: 70 А; Корпус: Power QFN 5x6
Описание
95.44 руб./шт
Варианты цен
95.44 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 12 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 12 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
0.74 руб./шт
Варианты цен
0.74 руб./шт
В корзину
16.46 руб./шт
Варианты цен
16.46 руб./шт
В корзину
5.84 руб./шт
Варианты цен
5.84 руб./шт
В корзину
DI110N15PQ, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 11.7 мОм; Qg: 51 нКл; Id: 110 А; Корпус: Power QFN 5x6
Описание
72.02 руб./шт
Варианты цен
72.02 руб./шт
В корзину
SiC-диоды Шоттки производства известной китайской компании WayOn.
PDFN5*6, 650 В, 6 А, 1.43 В, 13.02 нКл
PDFN5*6, 650 В, 6 А, 1.43 В, 13.02 нКл
Описание
101.54 руб./шт
Варианты цен
101.54 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EHL221M2GBA Hitano, EHL серии , типоразмер: 25х50 мм; U раб.: 400 В; C ном.: 220 мкФ; Допуск: M (±20%)
Описание
170.23 руб./шт
Варианты цен
170.23 руб./шт
В корзину
Чип конденсатор электролитический 6.3x7.7 мм, 35В, 47мкФ, M (±20%)
Описание
5.15 руб./шт
Варианты цен
5.15 руб./шт
В корзину
PVT422PBF, Твердотельное реле двухполярное нормально разомкнутое, MOSFET, 0-400В, AC/DC 120мА, DIP8
Описание
708.32 руб./шт
Варианты цен
708.32 руб./шт
В корзину
