Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 36 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 36 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.03 руб./шт
Варианты цен
1.03 руб./шт
В корзину
RFID Reader/Transponder, U вх.мин-макс: 2.5 В - 5.5 В, I²C, SPI, UART, корпус 32-HVQFN (5 x 5), -25°C~85°C
Описание
495.32 руб./шт
Варианты цен
495.32 руб./шт
В корзину
4.25 руб./шт
Варианты цен
4.25 руб./шт
В корзину
DI015N25D1, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 245 мОм; Qg: 8.9 нКл; Id: 15 А; Корпус: TO-252
Описание
93.98 руб./шт
Варианты цен
93.98 руб./шт
В корзину
Диод быстрый MUR620CTG, Ultrafast, TO-220AB, 200V, 3A, 35ns
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
Чип резистор 1206, 150кОм, F (±1%), 250мВт, ±100 ppm/°C
Кратность продажи: 100 шт
Кратность продажи: 100 шт
Описание
3.64 руб./шт
Варианты цен
3.64 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 15 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 15 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.24 руб./шт
Варианты цен
1.24 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 18 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 18 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
0.84 руб./шт
Варианты цен
0.84 руб./шт
В корзину
32.82 руб./шт
Варианты цен
32.82 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 10 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
1.18 руб./шт
Варианты цен
1.18 руб./шт
В корзину
Конденсатор электролитический EXR, 18х41 мм, 50В, 3300мкФ, M (±20%)
Описание
99.84 руб./шт
Варианты цен
99.84 руб./шт
В корзину
Чип резистор 0201, 10кОм, J (±5%), 50мВт, ±200 ppm/°C
Кратность продажи: 100 шт
Кратность продажи: 100 шт
Описание
1.28 руб./шт
Варианты цен
1.28 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK040N08HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK040N08HGS: серия SGT N Channel, Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 0,0048 Ом; Qg: 78,5 нКл; Id: 114 А; Корпус: TO-220
Описание
80.69 руб./шт
Варианты цен
80.69 руб./шт
В корзину
DI070P04PQ-AQ, MOSFET транзистор, полярность: P-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 6.5 мОм; Qg: 125 нКл; Id: 70 А; Корпус: Power QFN 5x6
Описание
105.64 руб./шт
Варианты цен
105.64 руб./шт
В корзину
Минимальное количество к продаже 100шт!
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 12 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Основные характеристики
P ном. (мощность номинальная): 0.25 Вт
R ном. (сопротивление номинальное): 12 Ом
Точность: F (±1%)
ТКС (температурный коэффициент сопротивления): 50 ppm/°C
Упаковка
Количество в упаковке: 5000шт
Кратность продажи: 100шт
Описание
0.83 руб./шт
Варианты цен
0.83 руб./шт
В корзину
18.36 руб./шт
Варианты цен
18.36 руб./шт
В корзину
9.24 руб./шт
Варианты цен
9.24 руб./шт
В корзину
5.84 руб./шт
Варианты цен
5.84 руб./шт
В корзину
DI110N15PQ, MOSFET транзистор, полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 11.7 мОм; Qg: 51 нКл; Id: 110 А; Корпус: Power QFN 5x6
Описание
79.70 руб./шт
Варианты цен
79.70 руб./шт
В корзину
