MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
37.54 руб./шт
Варианты цен
37.54 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
31.24 руб./шт
Варианты цен
31.24 руб./шт
В корзину
106.57 руб./шт
Варианты цен
106.57 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
36.53 руб./шт
Варианты цен
36.53 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
33.84 руб./шт
Варианты цен
33.84 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
305.60 руб./шт
Варианты цен
305.60 руб./шт
В корзину
1 199.86 руб./шт
Варианты цен
1 199.86 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
199.35 руб./шт
Варианты цен
199.35 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
402.33 руб./шт
Варианты цен
402.33 руб./шт
В корзину
347.68 руб./шт
Варианты цен
347.68 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
137.88 руб./шт
Варианты цен
137.88 руб./шт
В корзину
166.07 руб./шт
Варианты цен
166.07 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK340N20HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Описание
123.27 руб./шт
Варианты цен
123.27 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
225.57 руб./шт
Варианты цен
225.57 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ36N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Описание
305.60 руб./шт
Варианты цен
305.60 руб./шт
В корзину
747.30 руб./шт
Варианты цен
747.30 руб./шт
В корзину
RSM170045W, N-канал SiC Power MOSFET, VDS =1700В,ID =72A
Описание
3 209.86 руб./шт
Варианты цен
3 209.86 руб./шт
В корзину
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
12.13 руб./шт
Варианты цен
12.13 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
