MOSFET транзистор WML13N50C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML13N50C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 6 А; Корпус: TO-220F
Описание
36.42 руб./шт
Варианты цен
36.42 руб./шт
В корзину
103.37 руб./шт
Варианты цен
103.37 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMO10N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO10N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,6 Ом; Qg: 9,6 нКл; Id: 4,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
30.30 руб./шт
Варианты цен
30.30 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор DI110N04PQ, производителя Diotec
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 1.9 мОм; Id: 110 А; P: 45 W; Корпус: QFN5x6
Описание
34.61 руб./шт
Варианты цен
34.61 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML099N10HGS, производителя WayOn
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML099N10HGS: SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 9,9 мОм; Qg: 59,5 нКл; Id: 37А; Корпус: TO-220F
Описание
32.83 руб./шт
Варианты цен
32.83 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ53N65C4, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.06 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
296.42 руб./шт
Варианты цен
296.42 руб./шт
В корзину
1 163.84 руб./шт
Варианты цен
1 163.84 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ12N120D1, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия VDMOS D1, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 1.25 Ом; Qg: 94 нКл; Id: 12 А; Корпус: TO-247
Описание
193.37 руб./шт
Варианты цен
193.37 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ80N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.044 Ом; Qg: 103 нКл; Id: 80 А; Корпус: TO-247
Описание
390.25 руб./шт
Варианты цен
390.25 руб./шт
В корзину
337.24 руб./шт
Варианты цен
337.24 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
130.66 руб./шт
Варианты цен
130.66 руб./шт
В корзину
161.09 руб./шт
Варианты цен
161.09 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
218.79 руб./шт
Варианты цен
218.79 руб./шт
В корзину
RSM170045W, N-канал SiC Power MOSFET, VDS =1700В,ID =72A
Описание
3 113.50 руб./шт
Варианты цен
3 113.50 руб./шт
В корзину
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
11.49 руб./шт
Варианты цен
11.49 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
433.25 руб./шт
Варианты цен
433.25 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
789.62 руб./шт
Варианты цен
789.62 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
337.10 руб./шт
Варианты цен
337.10 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
