MOSFET транзистор WMJ53N60F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.062 Ом; Qg: 58 нКл; Id: 50 А; Корпус: TO-247
Описание
318.08 руб./шт
Варианты цен
318.08 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
Модуль SLIMDIP-S#555 Mitsubishi Electric, 450В, 5А, 6-PACK, SLIM, IGBT
Описание
515.38 руб./шт
Варианты цен
515.38 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML12N80M3: серия SJ-MOS M3, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 7,2 А; Корпус: TO-220F
Описание
73.33 руб./шт
Варианты цен
73.33 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO07N65С4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO07N65С4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,96 Ом; Qg: 5,2 нКл; Id: 2,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WML071N15HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML071N15HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0.0071 Ом; Qg: 69 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-220F
Описание
141.17 руб./шт
Варианты цен
141.17 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO20N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO20N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,088 Ом; Qg: 7,8 нКл; Id: 12,6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
25.30 руб./шт
Варианты цен
25.30 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO28N15T2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO28N15T2: серия Trench N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 0,048 Ом; Qg: 12 нКл; Id: 19,5 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
31.96 руб./шт
Варианты цен
31.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMB018N04LG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Ключевые параметры WMB018N04LG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 0,0018 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 82 А; Корпус: PDFN5*6-8L
Описание
35.76 руб./шт
Варианты цен
35.76 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMO15N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WMO15N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,26 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Ключевые параметры WMO15N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,26 Ом; Qg: 14,6 нКл; Id: 7,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Описание
45.02 руб./шт
Варианты цен
45.02 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор P-Channel, -150В, 290 мОм, 66 нКл, -13А, TO-220AB
Описание
44.65 руб./шт
Варианты цен
44.65 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
