318.21 руб./шт
Варианты цен
318.21 руб./шт
В корзину
209.33 руб./шт
Варианты цен
209.33 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор P-Channel, -100В, 60 мОм, 150 нКл, -38А, TO-220AB
Описание
124.67 руб./шт
Варианты цен
124.67 руб./шт
В корзину
329.56 руб./шт
Варианты цен
329.56 руб./шт
В корзину
439.52 руб./шт
Варианты цен
439.52 руб./шт
В корзину
429.26 руб./шт
Варианты цен
429.26 руб./шт
В корзину
151.99 руб./шт
Варианты цен
151.99 руб./шт
В корзину
683.96 руб./шт
Варианты цен
683.96 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ36N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ36N65F2: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0,11 Ом; Qg: 46 нКл; Id: 20 А; Корпус: TO-247
Описание
279.70 руб./шт
Варианты цен
279.70 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMK340N20HG2, производителя WayOn
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Ключевые параметры WMK340N20HG2: серия SGT N Channel Power MOSFET, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 0,034 Ом; Qg: 23 нКл; Id: 31,6 А; Корпус: TO-220
Описание
112.81 руб./шт
Варианты цен
112.81 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WMJ90R260S, производителя WayOn
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры WMJ90R260S: серия SJ-MOS S, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 0.26 Ом; Qg: 39.5 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-247
Описание
206.45 руб./шт
Варианты цен
206.45 руб./шт
В корзину
373.94 руб./шт
Варианты цен
373.94 руб./шт
В корзину
5 339.83 руб./шт
Варианты цен
5 339.83 руб./шт
В корзину
RSM170045W, N-канал SiC Power MOSFET, VDS =1700В,ID =72A
Описание
2 937.80 руб./шт
Варианты цен
2 937.80 руб./шт
В корзину
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Ключевые параметры WML26N60C4: серия SJ-MOS C4, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,19 Ом; Qg: 22,1 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F
Описание
81.48 руб./шт
Варианты цен
81.48 руб./шт
В корзину
604.17 руб./шт
Варианты цен
604.17 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
IRLML2803TRPBF, MOSFET транзистор, N-Channel, 30 В, 250 мОм, 5 нКл, 1.2 А, 0.54 Вт, SOT-23
Описание
10.96 руб./шт
Варианты цен
10.96 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65SR, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS SR, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 183 нКл; Id: 99 А; Корпус: TO-247
Описание
408.80 руб./шт
Варианты цен
408.80 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор WMJ90N65F2, производителя WayOn
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Ключевые параметры: серия SJ-MOS F2, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.033 Ом; Qg: 142 нКл; Id: 90 А; Корпус: TO-247
Описание
745.07 руб./шт
Варианты цен
745.07 руб./шт
Под заказ
Запросить условия поставки
